Проектът има една основна цел: синтезът на SiC, аморфен въглерод/ хидрогениран аморфен въглерод (aC/aC:H) и графеноподобни филми, тяхната модификация и по-нататъшното отлагане на графен, включително на буферни слоеве върху подложки съвместими със стандартните за микроелектрониката силициеви технологии и позволяващи лесно формиране на структури от типа метал- изолатор- полупроводник.
МОН, Фонд „Научни Изследвания“, Конскурс за финансиране на фундаментални научни изследвания – 2021 г. Базова организация: Институт по електроника с ръководител доц. д-р Т. Mиленов ръководител на договора от страна на ИФТТ-БАН: доц. д-р Т. Тенев
Партньорски организации: Институт по физика на твърдото тяло „Георги Наджаков“- БАН Софийски университет „Св. Климент Охридски“ Институт по обща и неорганична химия- БАН Институт по оптически материали и технологии „акад. Йордан Малиновски“- БАН Институт по физикохимия „Ростислав Каишев“- БАН
