На 26 януари в Техническия университет – София се състоя среща, с която се постави началото на изпълнението на проекта C3BG – Chips Centre of Competence Bulgaria – ключова инициатива в рамките на Chips for Europe Initiative. Финансирането на проекта се осъществява в резултат на подписано грантовото споразумение с Chips Joint Undertaking (Chips JU) в рамките на EU Chips Act.
В проекта с координатор ТУ-София, обединяващ усилията на клъстери, публични, научноизследователски и бизнес организации за изграждане на национален център за компетентност в микроелектрониката, участва като доказал своята дългогодишна експертиза и Институтът по физика на твърдото тяло при Българската академия на науките. На срещата присъстваха директорът на Института - доц. Екатерина Йорданова, проф. Албена Паскалева, която е координатор на C3BG в ИФТТ и ръководител на направление „Функционални материали и наноструктури“, и ръководителят на Лабораторията по физични проблеми на микроелектрониката - доц. Денчо Спасов.
В рамките на проекта C3BG ИФТТ ще участва с научноизследователски и развойни дейности, насочени към:
Така Институтът ще продължи да отстоява ролята си на двигател на научните изследвания и иновациите в областта на микро- и наноелектрониката. При цялостното реализиране на C3BG екипите в България ще разчитат на подкрепата на международни партньори като imec (Белгия) и Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (Германия).
С изпълнението на този мащабен, стратегически проект се цели не само да се осигури достъп до модерна инфраструктура, включваща платформи за дизайн и пилотни производствени линии, до разработени програми за обучение и преквалификация в областта на микроелектрониката, но и да се осъществи целенасочена подкрепа за малки и средни предприятия и стартъпи чрез менторство, експертни услуги и възможности за ползване на ресурси и услуги. Това ще осигури на България условия за развитие на устойчива, конкурентоспособна и ориентирана към бъдещето полупроводникова екосистема в съответствие с европейските приоритети и целите на EU Chips Act и ще повиши конкурентоспособността на страната ни.
Институтът по физика на твърдото тяло (ИФТТ) има силни традиции в областта на микроелектрониката. Още през 1959 г. Йордан Касабов, предвиждайки големите перспективи на полупроводниковите технологии и силиция като най-обещаващ полупроводников материал, създава в института направление „Силиций“. В резултат на впечатляващото научно и технологично развитие в направление „Силиций“ през 1967 г. е обособено отделено звено (spin-off) – Централният институт по елементи (по-късно преименуван на Институт по микроелектроника). Лаборатория „Физични проблеми на микроелектрониката“ е сред първите в света, които още в средата на 90-те години започват изследвания върху high-k диелектрици, в частност Ta₂O₅.
Линк към сайта на координатора на проекта:
Снимка: ТУ - София
